昂科技术
在人工智能高速发展的时代，HBM高带宽内存和计算芯片市场需求持续攀升。昂科V9000-HBM/SoC-T三温老化测试机，精准满足H BM和SoC老化测试核心要求：适配多层堆叠、高速I/O与高功耗场景，实现精准温控、动态应力 、高速信号完整性及早期失效筛选，全面满足车规及AI服务器高可靠应用 。未来将向TDBI动态老化、全流程可追溯、大功率并行、自动化扩容方向演进，同步兼容HBM3E/HBM4/CPU/GPU/ FPGA/MCU，持续提升UPH与良率。
产品优势
超大同测能力
最大支持1920 DUTs同测
高 UPH 设计，成熟稳定，可直接量产
高精度热管理与压力控制
实时监测 DUT 状态、温度、压力及结露情况
独立控温，支持 -40℃~150℃, 控温精度 ±3℃
独立控压，确保接触稳定可靠，压力精度 5%
创新全自动老化测试
自动上下料、BIB 老化板转运、测试分选全流程自动化，无需人工干预
支持自动化 HTOL/LTOL、BI 测试，降低人为失误
关键操作留痕、生产批次绑定，全流程可追溯
工程与量产平台统一，快速量产导入，降低成本
高可靠自研测试系统
测试资源板卡可按需配置，PPMU 功能提升通道灵活性
自主研发，支持定制化需求
支持 ALPG 功能，逻辑向量深度128M
产品规格表
设备性能指标
整机尺寸（W*D*H） | 4550mm×3900mm×2000mm |
IC封装类型 | BGA |
IC封装尺寸 | 3mm× 3mm ~ 30mm×30mm |
上下料方式 | Tray In & Tray Out |
测试工位 | 1920 |
温度范围 | -40~150℃ |
温度精度 | ±3℃ |
通讯接口 | TCP/IP，或适配其他接口 |
重复定位精度 | ±0.02mm |
Jam Rate | <1/5000 |
Up time | >98.5% |
MTBA（平均故障间隔周期） | 不停机故障：间隔时间≥ 1hrs；停机故障：间隔时间≥ 2hrs。 不停机故障：设备警报，不影响设备使用； 停机故障：机构件损坏，标准件异常，严重故障，需要停机排除； |
MTBF（平均无故障工作时间） | ≥24hrs |
噪声 | ≤75分贝 备注：离机台1米处，高度1.5米测量4个点；环境噪音小于70分贝。 |
数字板卡（PE）参数
Io通道 | 256/BIB |
测试频率 | 25MHz |
Timing Resolution | 1.25ns |
Rising time/Falling time | <4ns@2Vswing |
Timing Accuracy | +/-700ps |
IO驱动电压 | -1.5V~6V |
IO驱动电流 | +/-20mA -> 120mA |
逻辑向量深度 | 128M |
Failure HRAM | 128M |
ALPG功能 | 支持 |
Pin Share功能 | 支持 |
电源板卡（DPS）参数
DP电压范围 | 数量 | 电流范围 | Voltage Fore | urrent Measur |
0.5V-1V（Vout1） | 1 | 0~200A | Resolution：10bit-1.5625mV Accuracy：+/-1% | Resolution：62.5mA Accuracy：+/-4% |
0.5V-2V（Vout2） | 1 | 0~50A | Resolution：10bit-1.5625mV Accuracy：+/-1% | Resolution：62.5mA Accuracy：+/-4% |
0.5V-3V（Vout3） | 8 | 0~10A | Resolution：16bit-1.25mV Accuracy：+/-1% | Resolution：16bit-0.5mA Accuracy：+/-3% |
0.5V-5V（Vout4） | 6 | 0~2A | Resolution：16bit-1.25mV Accuracy：+/-1% | Resolution：16bit-0.25mA Accuracy：+/-3% |
PMU（DC）参数
DP电压范围 | Range | Resolution | Accuracy |
FV | -1.5V~6V | 16bit | ±(0.2% + 5 mV + 2 mV/10 mA) |
FI | ±2μA | 16bit | ±(0.5%*FI + 0.5%* IRange + 20 nA/V) |
±20μA | ±(0.2%*FI + 0.5%* IRange + 100 nA/V) | ||
±200μA | ±(0.2%*FI + 0.3%* IRange + 500 nA/V) | ||
±2mA | ±(0.2%*FI + 0.3%* IRange + 1 μA/V) | ||
±50mA | ±(0.2%*FI + 0.3%* IRange + 10 μA/V) | ||
MV | -1.5V~6V | 18bit | ±(0.5% + 2 mV + 1 mV/10mA) |
MI | ±2μA | 18bit | ±(0.5%*FI + 0.5%* IRange + 20 nA/V) |
±20μA | ±(0.2%*FI + 0.5%* IRange + 100 nA/V) | ||
±200μA | ±(0.2%*FI + 0.3%* IRange + 500 nA/V) | ||
±2mA | ±(0.2%*FI + 0.3%* IRange + 1 μA/V) | ||
±50mA | ±(0.2%*FI + 0.3%* IRange + 10 μA/V) |
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